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联电携手晋江市政府发展中国DRAM产业,超越紫光集团与美光合作进度

日期:2016年7月12日 10:38

  全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示,自中国政府从2014年10月14 日中国工信部宣布国家集成电路产业投资基金(中国简称大基金)成立,宣示进军DRAM领域作为中国半导体计划的第一步,期间中国各地方政府竞逐DRAM生产基地,也努力的寻找技术、人力、财力及资源,莫不希望自身让中央评选并挤身中国半导体领域的重要省分。

  经过激烈的竞争,武汉新芯于日前宣布进军NAND领域,计划推出3D-NAND产品拉近与韩美厂商的距离;联电也携手与晋江市政府合作,打造中国的DRAM产业,并以利基型内存作为切入点,避开削价竞争剧烈的标准型内存市场;反倒是之前呼声最高的紫光集团,仍在寻觅合作对象,先前传出与深圳市政府合作近期也发生变化,让联电晋江的合作进度超过紫光集团,算是中国第一桩较具明确计划的DRAM开发案。

  中国政府挟带着充沛的资金配合台湾半导体领域的丰富经验,两岸高科技合作再下一城,正式展开中国DRAM产业发展的计划。

  联电初期将以台湾作为研发基地,南科将成联电与晋江合作案的研发重镇

  联电与晋江市政府的合作正积极展开中,具侧面了解,此新事业部由联电副总陈正坤领军,相关的半导体机台已经下订与移入南科厂房安装当中,光罩等都在洽谈当中,并在联电南科成立试产线,联电初期将以台湾作为研发基地,南科将成联电与晋江合作案的研发重镇,集邦科技认为联电早年曾生产设计过DRAM产品,拥有相关技术与IP智财权,加上自身已有丰富的代工经验,制程技术可延续至利基型内存的制造,加上联芯厦门厂亦在附近,无论是技术的支持或是人员的调配对于联电后续的规划都有相辅相成之效。

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